Speakers
Виктория Москаленко
Николай Атанов
Description
В работе представлены результаты исследования влияния радиационного воздействия гамма-излучения на свойства GaN транзисторов и усилителей на их основе, которые могут быть использованы для современных высокозагруженных детекторов. Облучение проводилось с использованием новых гамма-источников 60Со на облучательном комплексе установки MRCFG-25. Произведен расчёт поглощённой в веществе транзистора дозы гамма-излучения. Приведен сравнительный анализ характеристик транзисторов и усилителей до и после облучения, а также сопоставление их параметров со схемотехнической моделью.
| Тематическая секция | Детекторы, методика эксперимента и ядерно-физические методы |
|---|
